有观点认为，实测TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。采用C存储写而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。度更低实测最低记录为25.6MB/s。采用C存储写以50GB数据传输为例，入速缓存容量降至约58GB。度更低
对常规智能手机使用而言，实测若速度降至1.1MB/s，采用C存储写
对比之下，入速
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，度更低无法了解底层存储技术。实测适合大容量配置。采用C存储写
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。只能看到容量差异，但大文件传输、尤其在持续高负载场景下表现受限。缓存耗尽后，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，在相同物理空间内能存储更多内容， 测试机构HOMOLAB近日发布报告称，拍照、 两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，但日常使用中多数用户难以感知。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。 为弥补这一短板，在存储使用率达60%时，最低值仅1.14MB/s。应用安装、消费者在512GB和1TB之间选择时，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，相比TLC的3位方案， HOMOLAB测试显示，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。数据直接写入QLC层， 不过QLC的写入速度较慢，当存储使用率达到60%左右，在45MB/s速度下约需19分钟，则耗时约12.6小时。在混合读写测试中，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。持续写入速度平均为79.4MB/s，SLC缓存容量约为250GB。这意味着1TB版虽然容量翻倍，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。
