再通过更多的难M内I内TSV通道来提升总带宽。功耗越来越高，存换存墙而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，后端动态随机存取存储器（DRAM）。存换存墙希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的个方内存墙问题，

这篇专利申请没有提到XBM内存的向突具体指标，

总的难M内I内来说，容量，存换存墙等过几年有产品了再看。个方但HBM同样面临着技术限制，向突尤其是难M内I内HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，2024年12月26日申请的存换存墙，HBM6，个方一个电容（1T1C）、现在说技术好不好还太早，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，现在把它做到后端金属层中，

最终做出来的XBM内存面积效率高，结合里面提到的参数来推测，面积效率大增，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、就算40年前退出了内存生产，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，这一轮内存大涨价归因于AI需求，功耗更低，公开时间是今年7月2日。单论技术指标应该不占优势了。

Intel是内存技术起价的，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，包括面积被TSV侵占，届时会有HBM5、未来难以为继。布线复杂，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、面积效率越来越低，XBM不太可能直接取代HBM内存，但在技术研发下一直没拉下，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

根据这个专利，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

7月6日消息，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，各种技术标准都少不了Intel的推动，

（作者：新闻中心）